三星计划明年三月启动第十代V-NAND闪存量产线建设

据韩媒ETNews当地时间昨日报道，三星电子正紧锣密鼓地筹备其下一代3D NAND闪存——第十代V-NAND的首条量产线建设，预计将在明年三月正式启动。这一重大项目有望在当年10月进入全面量产阶段，标志着三星在存储技术领域的又一重要突破。

据悉，该产线的建设规划颇为详尽。2026年3月，三星将开始设备的安装工作，并计划在上半年完成产线的建设。随后，将进行一段时间的试生产，以确保生产流程的顺畅与产品质量的稳定。在试生产成功后，产线将正式转入量产阶段，为市场带来更为先进的存储解决方案。

值得注意的是，这一时间表相较于此前部分人士的预期有所延后。然而，这并未影响三星对于下一代NAND闪存技术的信心与投入。目前，三星电子最先进的NAND工艺为286层的V9，而即将到来的下代V10，其堆叠层数将实现质的飞跃，达到400层以上，据悉确切层数约为430层。这一层数不仅远超当前市场上的主流产品，更有望使V10成为最高堆叠的闪存，引领行业技术新潮流。

除了堆叠层数的显著提升，V10 NAND还引入了多项先进技术，如超低温蚀刻和混合键合等。这些技术的运用，将进一步提升NAND闪存的性能与可靠性，满足未来数据存储对于高速度、大容量、长寿命的严苛要求。

根据三星电子为今年2月的ISSCC 2025会议准备的演讲内容，其V10 NAND的TLC版本可实现高达28Gb/mm²的存储密度和5.6Gbps的I/O引脚速率。这一数据不仅彰显了三星在NAND技术领域的领先地位，更为未来数据存储的发展指明了方向。

随着大数据、云计算、人工智能等技术的快速发展，数据存储需求呈现出爆炸式增长。三星电子作为全球存储市场的领军企业，其下一代V-NAND闪存的推出，无疑将为市场注入新的活力，推动数据存储技术的持续进步。我们期待三星能够早日实现V10 NAND的量产，为全球用户带来更为先进、可靠的存储解决方案。